芯片規(guī)格 | 正向電流 | 反向重復(fù)峰值電壓 | 反向峰值漏電流 | 二極管的反向恢復(fù)時間 | 二極管正向壓降 | 結(jié)溫范圍 | 鈍化層 |
|
A | V |
μA |
nS | V | ℃ |
|
HSF1020A | 10 | 200 | ≤10 | ≤60 |
≤1.3 |
-55~150 | 有 |
HSF1540A |
15 | 400 |
≤10 |
≤60 |
≤1.4 |
-55~150 |
有 |
HSF3040A |
30 | 400 |
≤10 |
≤60 |
≤1.35 |
-55~150 |
有 |
HSF4540A |
45 | 400 |
≤10 |
≤60 |
≤1.3 |
-55~150 |
有 |
HSF1560A |
15 | 600 |
≤10 |
≤60 |
≤1.9 |
-55~150 |
有 |
HSF25120A |
25 | 1200 |
≤10 |
≤100 |
≤2.2 |
-55~150 |
有 |
HSF50120A |
50 | 1200 |
≤10 |
≤100 |
≤2.5 |
-55~150 |
有 |
注1:背面金屬為銀,表面金屬為鋁或銀。
注2:產(chǎn)品參數(shù)及規(guī)格可根據(jù)客戶要求定制。
注3:聚酰亞胺做鈍化層,具有高可靠性。
芯片規(guī)格 | 正向電流 | 反向重復(fù)峰值電壓 | 反向等值漏電流 | 二極管的反向恢復(fù)時間 | 二極管正向壓降 | 結(jié)溫范圍 | 鈍化層 |
|
A | V |
μA |
nS |
V |
℃ |
|
HSMF2060A | 20 | 600 | ≤10 |
≤60 |
≤1.70 |
-55~150 |
復(fù)合型 |
HSMF6060A | 60 | 600 |
≤10 |
≤90 |
≤2.00 |
-55~150 |
復(fù)合型 |